（原标题：模拟芯片肛交，也能3D堆叠了）

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Nisshinbo Micro Devices 和 Oki Electric Industries (OKI) 已告捷将模拟 IC 薄化至几微米，并进行三维堆叠。野心是2026年完好意思量产。

日清纺微器件公司和冲电气工业公司 (OKI) 于 2024 年 10 月 17 日晓示，他们已告捷将模拟 IC 制作成薄膜并进行三维集成（分层）。同日举行新闻发布会讲解笃定。该时间摆布了Nisshinbo Microdevice的“局部屏蔽时间”和冲电气的“CFB（晶体薄膜接合）”，野心是在2026年完好意思量产。

新闻发布会上展示的演示样品。它是由两个2通说念运算放大器IC堆叠而成，在诠释会上也进行了其操作演示

将模拟 IC“粘贴”到模拟 IC 之上

两家公司晓示的时间波及剥离内置于晶圆功能层中的模拟 IC，并将其粘合到已酿成另一个模拟 IC 的晶圆上。这个念念法是将模拟 IC 粘贴在模拟 IC 的顶部。剥离后的模拟IC十分薄，仅约5μm厚。

OKI的专偶而间CFB用于剥离薄膜模拟IC（薄膜模拟IC）并将其粘合到另一个晶圆上。CFB 波及剥离半导体器件的功能层并将它们粘合到不同材料的基板上。由于摆布分子间力进行粘合，因此不需要粘合剂或非凡成就。CFB时间也被用于垂直GaN功率器件的开拓。

堆叠薄膜模拟 IC 的图像 开端：OKI/Nisshinbo Micro Devices

堆叠模拟 IC 的横截面图 开端：OKI/Nisshinbo Micro Devices

局部屏蔽还贬责了串扰问题

薄膜模拟 IC 十分薄，厚度约为 5 μm。已矣，高下模拟IC彼此围聚，产生串扰噪声。串扰会加多高电源电压下的功耗，并在责任波形中产生噪声。

串扰发生的机理 开端：OKI/Nisshinbo Micro Devices

Nisshinbo Micro Devices 通过应用独有的“局部屏蔽”时间阻拦了这种串扰。通过酿成铝屏蔽膜并将其夹在高下模拟IC之间，不错阻拦静电感应并预防串扰。然则，如若所有这个词名义被屏蔽，则出现半导体元件和屏蔽之间的寄生电容增大的问题。由于除非对寄生电容进行充电，不然无法进行下一个操作，因此电路操作变慢。

因此，通过在局部而不是在所有这个词名义上酿成屏蔽，咱们告捷地最小化了寄生电容并阻拦了串扰的发生。Nisshinbo Micro Devices 暗意，当使用引线键合操作堆叠的模拟 IC 时，“在不加多功率的情况下得到了理念念的特色。”莫得产生杂音。

Nisshinbo Microdevice AT 分娩时间部专科部门司理 Toshihiro Ogata 博士暗意：“在决定在那儿应用局部屏蔽时，咱们摆布了咱们在高精度运算放大器时间方面积存的专科常识。我不行暴露任何事情，但有一定的法则。”

左 = 局部屏蔽应用图像 / 右 = 操作考证已矣 开端：OKI/Nisshinbo Micro Devices

不错与留传经由重新承接

由于薄膜模拟 IC 十分薄，因此不错使用程序半导体光刻对其进行重新布线。一个主要优点是不错应用传统工艺，而不是使用顶端、兴盛的成就，举例使用 TSV（硅通孔）的 3D 集成。

此次，冲电气使用 CFB 将薄膜模拟 IC 粘合到玻璃基板上，并使用光刻时间告捷重新布线。OKI将CFB工艺和重新布线工艺相结合的时间称为“薄膜小芯少顷间”，并热衷于将其应用于集成多样半导体器件的异构集成。

堆叠模拟 IC 不错使用光刻时间重新布线 开端：OKI/Nisshinbo Micro Devices

此外，CFB还不错将多个薄膜模拟IC旋转90度堆叠在一说念。如若通过一次旋转 90 度来堆叠各层，则焊盘不会叠加，因此您不错拉出键合线。

还不错旋转和堆叠疏导的模拟 IC。插图中提到“最多 4 层”，因为这意味着最多不错堆叠 4 层（90 度 x 4 = 360 度），而焊盘不会叠加，而况不受任何时间为止 开端：OKI。/日清纺微器件

新闻发布会上展示的演示样品。展出的器件包括使用 CFB 时间粘合到玻璃基板上的器件、粘合到玻璃基板上然后重新布线的器件以及将运算放大器 IC 堆叠在晶体管顶部的器件

展示堆叠模拟 IC 实质责任旨趣的演示。左边的是两个2通说念运算放大器IC的堆叠，如一启动所示。信号发生器产生的信号被输入到两个IC中的每一个，而况骄横了由运算放大器IC放大的输出信号的波形（右）。无串扰噪声，波形干净

接洽许可等交易步地

至于交易步地，日清纺织将厚爱前端经由。此时，需要进行成膜工艺，以摆布CFB时间将功能层上酿成的模拟IC剥离。OKI摄取表层模拟IC和基层模拟IC晶圆，并使用CFB时间将它们剥离和粘合（层压）。之后，Nisshinbo Micro Devices 进行后处理。

不外，翌日两家公司将探索所有可能的神态，包括提供时间手脚许可、日清纺微成就和冲电气之间酿成三向调解，以及通过调解伙伴关系进行制造。

假定的交易步地 府上开端：OKI/Nisshinbo Micro Devices

领先，咱们的野心是在 2026 年底前使用 Nisshinbo Micro Devices 领有的现存工艺批量分娩该居品。固然目下尚未决定具体居品，但不错组合多样模拟IC。“我念念尝试集成多样低端模拟IC”（Nisshinbo Micro Devices）

跟着自动驾驶和 ADAS（高档赞成驾驶系统）中传感器数目的加多，对处理传感器信号的模拟 IC 的需求也在加多。人人模拟IC市集瞻望将从2023年的12万亿日元增长到2028年的17万亿日元，复合年增长率为7.3%。与此同期，为了完好意思模拟IC的进一步微型化和更高性能，东说念主们越来越需要擢升集成度。

然则，集成模拟 IC 存在好多挑战。模拟IC可大意20V、30V等高电压，因此，因微型化而裁减耐压，经常会导致特色变差（无法大意高电压）。而且，好多模拟IC齐是低端居品，不值得参加普遍资金并装配顶端制造成就。即使像逻辑半导体同样堆叠，模拟 IC 的厚度也存在为止，因此很难将其装配在需要薄型的封装中。这么，同期使用前端和后端身手来集成模拟 IC 就变得很贫苦。为此，两家公司目下正在勤快使留传经由的集成成为可能。

集成模拟 IC 的挑战 府上开端：OKI/Nisshinbo Microdevices

Ogata 先生强调：“咱们最大的成即是完好意思了难以堆叠的 IC 的集成。” Nisshinbo Microdevices 总裁兼首席扩充官 Keiichi Yoshioka 暗意：“这一效力将为模拟 IC 带来进一步的发展，并将为半导体的异构集成作念出广泛孝顺。”

https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2410/18/news138.html

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